场效应晶体管（FET），将输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其跨导，定义为输出电流变化与输入电压变化之比。市场上常见的有 N 沟道和P 沟道。
公共P沟道为低压mos管。场效应管将一个个电场投射在绝缘层上,以影响流过晶体管的电流。事实上,没有电流流过这个绝缘体,所以FET的GATE电流非常小。最常见的FET使用薄层二氧化硅来作为栅极绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 。由于MOS管更小、更节能,因此在许多应用中已取代双极晶体管。